Учёные научились визуализировать поведение горячих зарядов в полупроводниках

Учёные разработали метод визуализации переноса зарядов через гетеропереход между кремнием и германием сразу после их генерации.

Ключ к методике — использование ультрабыстрых лазерных импульсов как затвора для электронного пучка. Исследователи смогли увидеть, как «горячие» заряды ведут себя при перемещении через границу разных полупроводниковых материалов.

Если возбудить заряды рядом с гетеропереходом, часть из них захватит потенциал границы, что снизит их подвижность. Этот процесс может негативно повлиять на работу устройств, основанных на гетеропереходе.

Наблюдение за захватом зарядов на гетеропереходах кремний/германий позволит учёным более точно проектировать полупроводниковые устройства и проверять свои теории.

Исследование опубликовано в журнале Proceedings of the National Academy of Sciences.